如何選擇光功率計(jì)探測(cè)器類型
2024/4/3 14:10:13??????點(diǎn)擊：
參考圖表
功率計(jì)響應(yīng)波長(zhǎng)依賴性
長(zhǎng)波長(zhǎng)響應(yīng)度：Ge探頭對(duì)比InGaAs
?上圖顯示了帶有Ge和InGaAs探測(cè)器的功率計(jì)在波長(zhǎng)變化超過(guò)1500 nm時(shí)的室溫響應(yīng)。
?Ge測(cè)量?jī)x不適用于1550 nm以上的CWDM和DWDM系統(tǒng)，InGaAs測(cè)量?jī)x顯然是更好的選擇，因?yàn)樗浅７€(wěn)定。此圖使用真實(shí)的測(cè)量數(shù)據(jù)。
Ge探頭在1580nm時(shí)高溫情況下的響應(yīng)漂移
?上圖顯示了帶有Ge探測(cè)器的功率計(jì)的1580 nm熱響應(yīng)如何隨溫度變化。
?這種不穩(wěn)定性使得Ge功率計(jì)基本上不適合在1550 nm以上的CWDM和DWDM系統(tǒng)上進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)工作。
?1550 nm以下的熱穩(wěn)定性要好得多，約為0.2 dB，但它永遠(yuǎn)不如InGaAs。此圖使用真實(shí)的測(cè)量數(shù)據(jù)。